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AP8814A

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型2个N沟道
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 连续漏电流(Id)8A
  • 功率(Pd)1.25W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@4.5V,4A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)11nC@4V
  • 输入电容(Ciss@Vds)800pF@8V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)125pF@8V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
  • 配置共漏
AP80N06D AP6N40D 返回列表

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