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AP5N10BI

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)100V
  • 连续漏电流(Id)5A
  • 功率(Pd)3.1W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)105mΩ@10V,4A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)3.57nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)182pF@50V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)3.6pF@50V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
AP5N40D AP10N06D 返回列表

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