产品中心

首页 > 产品中心

AP2305MI

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 连续漏电流(Id)4.9A
  • 功率(Pd)1.31W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@4.5V,4.9A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)10.2nC@4.5V
  • 输入电容(Ciss@Vds)857pF@15V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)108pF@15V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
AP80N02DF AP10N04S 返回列表

更多新闻

功率半导体测试解决方案 助力国产功率半导体快速发展

2026-05-05

势银访谈 | 12问解码燃料电池布局、规划与新进展

2026-05-05

功率半导体测试解决方案 助力国产功率半导体快速发展

2026-05-05
关于我们
公司简介 企业文化 发展历程 资质荣誉
产品中心
行业应用
消费电子 汽车电子 工业控制 系统方案
新闻中心
公司新闻 行业动态
联系我们
关注我们
0755-2983 4675
0755-29834685

( 周一至周六 9:30-18:30 )

在线咨询
  • 深圳市龙华区大浪街道浪口社区英泰路147号612
  • szrtv8@126.com
  • 手机：13823795018（陈先生/微信同号）
    手机：13360503354（陈小姐/微信同号）
    手机：13302987774（程先生/微信同号）
    手机：13665966962（德志/微信同号）
友情链接：

Copyright © 2026 powered by 深圳瑞天微科技有限公司 粤ICP备2022109263号