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AP2307MI

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 连续漏电流(Id)7.1A
  • 功率(Pd)1W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16mΩ@4.5V,4A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)27.3nC@4.5V
  • 输入电容(Ciss@Vds)2.28nF@15V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)187pF@15V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
APG120N04NF AP60N04D 返回列表

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