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AP8G04S

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个N沟道+1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 连续漏电流(Id)8.3A；6.3A
  • 功率(Pd)1.67W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,5A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)5.5nC@4.5V
  • 输入电容(Ciss@Vds)593pF@15V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)56pF@15V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
AP4N65F AP40N20P 返回列表

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