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AP5G03DF

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个N沟道+1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 连续漏电流(Id)8A；7.2A
  • 功率(Pd)12W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,10A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)4.1nC@4.5V
  • 输入电容(Ciss@Vds)345pF@25V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)32pF@25V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
AP100N03Y AP4N06AI 返回列表

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