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AP30N15D

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)150V
  • 连续漏电流(Id)30A
  • 功率(Pd)72.6W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ@10V,20A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)23nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)1.19nF@75V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)4pF@75V
  • 工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
AP20G04GD AP5N20Y 返回列表

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