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AP120N02D

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 连续漏电流(Id)120A
  • 功率(Pd)83W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.1mΩ@4.5V,30A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)680mV@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)48nC@4.5V
  • 输入电容(Ciss@Vds)4.307nF@10V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)321pF@10V
  • 工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
AP20N10D AP50N06NF 返回列表

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