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AP2312MI

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 连续漏电流(Id)6.8A
  • 功率(Pd)1.5W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@4.5V,7.6A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)650mV@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)11.05nC@4.5V
  • 输入电容(Ciss@Vds)888pF@10V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)117pF@10V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
AP6G03S AP3P06BI 返回列表

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