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APG40N10S

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)100V
  • 连续漏电流(Id)40A
  • 功率(Pd)71W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@10V,10A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)16.2nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)1.0039nF@50V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)9.8pF@50V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
AP10N06MSI AP20N65F 返回列表

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