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AP2302CI

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 连续漏电流(Id)2.3A
  • 功率(Pd)700mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)48mΩ@4.5V,3A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)580mV@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)2.9nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)280pF@10V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)29pF@10V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
AP3N06I AP2301AI 返回列表

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