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AP4N10MI

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss)100V
  • 连续漏电流(Id)3.8A
  • 功率(Pd)3.76W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)210mΩ@10V,1A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)9nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)152pF@25V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)10pF@25V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
AP100N03T AP50N03AD 返回列表

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