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AP5N30D

2026-05-20

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)300V
  • 连续漏电流(Id)5A
  • 功率(Pd)58.7W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,2.5A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)3.2V@250uA
  • 栅电荷(Qg@Vgs)8.4nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)291pF@25V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)7pF@25V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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